WCE/WT/WP/WL/WZ टिग वेल्डिंग रॉड टंगस्टन इलेक्ट्रोड

संक्षिप्त वर्णन:


वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

टंगस्टन इलेक्ट्रोड टाइग वेल्डिंग रॉड

रासायनिक संरचना:

प्रकार पदार्थों जोड़ा गया ऑक्साइड % अशुद्धियाँ सामग्री % टंगस्टन % रंग चिन्ह
WC20 CeO2 1.8-2.0 <0.20 शेष स्लेटी
WL10 La2O3 0.8-1.2 <0.20 शेष काला
डब्ल्यूएल15 La2O3 1.3-1.7 <0.20 शेष सुनहरा पीला
WL20 La2O3 1.8-2.2 <0.20 शेष आसमानी नीला
WZ3 ZrO2 0.2-0.4 <0.20 शेष भूरा
WZ8 ZrO2 0.7-0.9 <0.20 शेष सफ़ेद
WT10 ThO2 0.9-1.2 <0.20 शेष पीला
WT20 ThO2 1.7-2.2 <0.20 शेष लाल
WT30 ThO2 2.8-3.2 <0.20 शेष बैंगनी
WT40 ThO2 3.8-4.2 <0.20 शेष नारंगी
WP <0.20 शेष हरा
WY20 Y2O3 1.8-2.2 <0.20 शेष नीला
WR 1.2-2.5 <0.20 शेष गुलाबी

आकार:

व्यास व्यास सहनशीलता लंबाई लंबाई सहनशीलता
mm इंच mm mm mm
1 1/25 (+/-)0.01 50,75,150,175 (+/-)1.0
1.2 6/125 (+/-)0.01 50,75,150,175 (+/-)1.0
1.6 1/16 (+/-)0.02 50,75,150,175 (+/-)1.0
2 2/25 (+/-)0.02 50,75,150,175 (+/-)1.0
2.4 3/32 (+/-)0.02 50,75,150,175 (+/-)1.0
3 3/25 (+/-)0.03 50,75,150,175 (+/-)1.0
3.2 1/8 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
4 5/32 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
4.8 3/16 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
5 1/5 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
6 15/64 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
6.4 1/4 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
8 5/16 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0
10 2/5 (+/-)0.04 50,75,150,175 (+/-)1.0

 

टिप्पणी:जब आपको अन्य टंगस्टन वोल्फ्राम इलेक्ट्रोड की आवश्यकता हो, तो कृपया हमें पूछताछ भेजें

पदनाम और लंबाई*व्यास.

टंगस्टन वेल्डिंग इलेक्ट्रोड:

 

1. इसका उपयोग टंगस्टन इनर्ट गैस (टीआईजी) प्रक्रिया के साथ आर्क वेल्डिंग या प्लाज्मा वेल्डिंग करते समय किया जाता है।

 

2. दोनों प्रक्रियाओं में इलेक्ट्रोड, आर्क और वेल्ड पूल को अक्रिय गैस द्वारा वायुमंडलीय प्रदूषण से बचाया जाता है।

 

3. इसका उपयोग इसलिए किया जाता है क्योंकि यह न्यूनतम पिघलने या कटाव के साथ बहुत अधिक तापमान का सामना कर सकता है।

 

4. यह पाउडर धातु विज्ञान द्वारा बनाया जाता है और सिंटरिंग के बाद आकार में बनता है।

विशेषता

• कम इलेक्ट्रॉनिक फ़ंक्शन• अच्छी चालकता

 

• अच्छी इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन क्षमता

 

• अच्छा यांत्रिक काटने का प्रदर्शन

 

• उच्च लोचदार मापांक, कम वाष्प दबाव

 

• उच्च पुनर्क्रिस्टलीकरण तापमान

 


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