ट्यान्टालम एक रासायनिक तत्व हो जसको प्रतीक Ta र आणविक संख्या ७३ छ। पहिले ट्यान्टालियम भनेर चिनिन्थ्यो, यसको नाम ग्रीक पौराणिक कथाको खलनायक ट्यान्टालसबाट आएको हो। ट्यान्टालम एक दुर्लभ, कडा, नीलो-खैरो, चम्किलो संक्रमण धातु हो जुन अत्यधिक क्षरण प्रतिरोधी छ। यो दुर्दम्य धातु समूहको भाग हो, जुन मिश्र धातुहरूमा माइनर घटकको रूपमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। ट्यान्टालमको रासायनिक जडताले यसलाई प्रयोगशाला उपकरणहरूको लागि एक मूल्यवान पदार्थ र प्लेटिनमको विकल्प बनाउँछ। आज यसको मुख्य प्रयोग मोबाइल फोन, DVD प्लेयर, भिडियो गेम प्रणाली र कम्प्युटर जस्ता इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा ट्यान्टालम क्यापेसिटरहरूमा छ। ट्यान्टालम, सधैं रासायनिक रूपमा समान नियोबियमसँग मिलेर, खनिज समूहहरू ट्यान्टालाइट, कोलम्बाइट र कोल्टन (कोलम्बाइट र ट्यान्टालाइटको मिश्रण, यद्यपि छुट्टै खनिज प्रजातिको रूपमा मान्यता प्राप्त छैन) मा हुन्छ। ट्यान्टालमलाई प्रविधि-महत्वपूर्ण तत्व मानिन्छ।

भौतिक गुणहरू
ट्यान्टलम गाढा (नीलो-खैरो), बाक्लो, नरम, धेरै कडा, सजिलैसँग बनाइएको, र ताप र बिजुलीको अत्यधिक प्रवाहकीय हुन्छ। यो धातु एसिडद्वारा हुने क्षरण प्रतिरोधको लागि प्रसिद्ध छ; वास्तवमा, १५० डिग्री सेल्सियस भन्दा कम तापक्रममा ट्यान्टलम सामान्यतया आक्रामक एक्वा रेजियाको आक्रमणबाट लगभग पूर्ण रूपमा प्रतिरक्षा हुन्छ। यसलाई हाइड्रोफ्लोरिक एसिड वा फ्लोराइड आयन र सल्फर ट्राइअक्साइड भएको एसिडिक घोल, साथै पोटासियम हाइड्रोक्साइडको घोलले घुलनशील बनाउन सकिन्छ। ट्यान्टलमको उच्च पग्लने बिन्दु ३०१७ डिग्री सेल्सियस (उबलने बिन्दु ५४५८ डिग्री सेल्सियस) तत्वहरू मध्ये धातुहरूको लागि टंगस्टन, रेनियम र ओस्मियम, र कार्बनले मात्र पार गर्छ।

ट्यान्टलम दुई क्रिस्टलीय चरणहरूमा अवस्थित छ, अल्फा र बीटा। अल्फा चरण अपेक्षाकृत नमनीय र नरम छ; यसमा शरीर-केन्द्रित घन संरचना (अन्तरिक्ष समूह Im3m, जाली स्थिरांक a = 0.33058 nm), Knoop कठोरता 200-400 HN र विद्युतीय प्रतिरोधकता 15-60 µΩ⋅cm छ। बीटा चरण कडा र भंगुर छ; यसको क्रिस्टल सममिति चतुर्भुज छ (अन्तरिक्ष समूह P42/mnm, a = 1.0194 nm, c = 0.5313 nm), Knoop कठोरता 1000-1300 HN छ र विद्युतीय प्रतिरोधकता 170-210 µΩ⋅cm मा अपेक्षाकृत उच्च छ। बीटा चरण मेटास्टेबल छ र 750-775 °C मा तताउँदा अल्फा चरणमा रूपान्तरण हुन्छ। बल्क ट्यान्टलम लगभग पूर्णतया अल्फा चरण हो, र बीटा चरण सामान्यतया म्याग्नेट्रोन स्पटरिंग, रासायनिक वाष्प निक्षेपण वा युटेक्टिक पग्लिएको नुन घोलबाट इलेक्ट्रोकेमिकल निक्षेपण द्वारा प्राप्त पातलो फिल्महरूको रूपमा अवस्थित हुन्छ।