ट्यान्टलम एक रासायनिक तत्व हो जसलाई टा र आणविक संख्या 73 को प्रतीक छ। पहिले ट्यान्टालियम भनेर चिनिन्थ्यो, यसको नाम ग्रीक पौराणिक कथाको खलनायक ट्यान्टालसबाट आएको हो।ट्यान्टलम एक दुर्लभ, कडा, नीलो-खैरो, चमकदार संक्रमण धातु हो जुन अत्यधिक जंग-प्रतिरोधी छ।यो अपवर्तक धातु समूह को एक भाग हो, जुन मिश्र मा साना घटक को रूप मा व्यापक रूप देखि प्रयोग गरिन्छ।ट्यान्टलमको रासायनिक जडताले यसलाई प्रयोगशाला उपकरणहरूको लागि मूल्यवान पदार्थ र प्लेटिनमको विकल्प बनाउँछ।आज यसको मुख्य प्रयोग मोबाइल फोन, डीभिडी प्लेयर, भिडियो गेम प्रणाली र कम्प्युटर जस्ता इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा ट्यान्टलम क्यापेसिटरहरूमा छ।ट्यान्टालम, सधैं रासायनिक रूपमा समान नाइओबियमको साथमा, खनिज समूह ट्यान्टलाइट, कोलम्बाइट र कोल्टन (कोलम्बाइट र ट्यान्टलाइटको मिश्रण, यद्यपि छुट्टै खनिज प्रजातिको रूपमा चिनिएको छैन) मा हुन्छ।ट्यान्टलमलाई टेक्नोलोजी-महत्वपूर्ण तत्व मानिन्छ।

भौतिक गुणहरू
ट्यान्टलम गाढा (नीलो-खैरो), बाक्लो, नरम, धेरै कडा, सजिलै संग निर्मित, र गर्मी र बिजुली को उच्च प्रवाहकीय छ।धातु एसिड द्वारा क्षरण प्रतिरोध को लागी प्रसिद्ध छ;वास्तवमा, 150 डिग्री सेल्सियस भन्दा कम तापमानमा ट्यान्टलम सामान्यतया आक्रामक एक्वा रेजिया द्वारा आक्रमण गर्न लगभग पूर्ण रूपमा प्रतिरक्षा हुन्छ।यसलाई हाइड्रोफ्लोरिक एसिड वा फ्लोराइड आयन र सल्फर ट्राइअक्साइड समावेश गर्ने अम्लीय समाधानहरू, साथै पोटासियम हाइड्रोक्साइडको समाधानको साथ भंग गर्न सकिन्छ।ट्यान्टालमको उच्च पिघलने बिन्दु 3017 °C (उबलने बिन्दु 5458 °C) केवल धातुहरू र कार्बनका लागि टंगस्टन, रेनियम र ओस्मियमले तत्वहरूमध्ये पार गरेको छ।

ट्यान्टलम दुई क्रिस्टलीय चरणहरूमा अवस्थित छ, अल्फा र बीटा।अल्फा चरण अपेक्षाकृत नरम र नरम छ;यसमा शरीर केन्द्रित घन संरचना (स्पेस समूह Im3m, जाली स्थिर a = 0.33058 nm), Knoop कठोरता 200–400 HN र विद्युतीय प्रतिरोधात्मकता 15–60 µΩ⋅cm छ।बीटा चरण कडा र भंगुर छ;यसको क्रिस्टल सममिति टेट्रागोनल हो (स्पेस समूह P42/mnm, a = 1.0194 nm, c = 0.5313 nm), Knoop कठोरता 1000–1300 HN र विद्युतीय प्रतिरोधात्मकता 170–210 µΩ µΩ मा तुलनात्मक रूपमा उच्च छ।बिटा चरण मेटास्टेबल हुन्छ र 750-775 डिग्री सेल्सियसमा तताउँदा अल्फा चरणमा रूपान्तरण हुन्छ।बल्क ट्यान्टलम लगभग पूरै अल्फा चरण हो, र बिटा चरण सामान्यतया म्याग्नेट्रोन स्पटरिंग, रासायनिक वाष्प निक्षेप वा युटेटिक पिघलाएको नुन घोलबाट इलेक्ट्रोकेमिकल डिपोजिसनबाट प्राप्त पातलो फिल्महरूको रूपमा अवस्थित हुन्छ।