ריין 99.95% טאַנגסטאַן ציל טאַנגסטאַן דיסק פֿאַר אינדוסטריע
טונגסטן ציל מאַטעריאַל איז אַ קריטיש הויך-ריינקייט מעטאַל מאַטעריאַל אין אינדוסטריעס אַזאַ ווי האַלב-קאָנדוקטאָרן, דיספּליי פּאַנאַלז און זונ - סעלז. עס איז דער הויפּט געניצט אין גשמיות פארע דעפּאַזישאַן פּראַסעסאַז, ספּעציעל מאַגנעטראָן ספּאַטערינג טעכנאָלאָגיע, צו פאָרעם גאָר דין קאַנדאַקטיוו אָדער פאַנגקשאַנאַל פילמס.
| דימענסיעס | ווי אייער פאָדערונג |
| אָרט פון אָפּשטאַם | לויאַנג, הענאַן |
| בראַנד נאָמען | פֿג"ד |
| אַפּליקאַציע | מעדיציניש, אינדוסטריע, האַלב-קאָנדוקטאָר |
| פאָרעם | קייַלעכדיק |
| ייבערפלאַך | פּאָלירט |
| ריינקייט | 99.95% |
| גראַד | W1 |
| געדיכטקייט | 19.3 ג/קמ3 |
| שמעלץ־פונקט | 3420℃ |
| קאָכן־פונקט | 5555℃ |
| הויפּט קאָמפּאָנענטן | וו > 99.95% |
| אומריינקייט אינהאַלט ≤ | |
| Pb | 0.0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0.0050 |
| P | 0.0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0.0010 |
| Al | 0.0015 |
| Cu | 0.0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0.0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0.0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0.0010 |
| Mg | 0.0010 |
| דיאַמעטער | φ25.4 מ״מ | φ50מם | φ50.8 מ״מ | φ60 מם | φ76.2 מ״מ | φ80.0 מם | φ101.6 מ״מ | φ100 מם |
| גרעב | 3 מ״מ | 4 מ״מ | 5 מ״מ | 6 מ״מ | 6.35 |
1. אונדזער פאַבריק געפינט זיך אין לוויאַנג שטאָט, הענאַן פּראָווינץ. לוויאַנג איז אַ פּראָדוקציע געגנט פֿאַר טאַנגסטען און מאָליבדענום מינעס, אַזוי מיר האָבן אַבסאָלוטע אַדוואַנטאַגעס אין קוואַליטעט און פּרייַז;
2. אונדזער פירמע האט טעכנישן פערסאנעל מיט איבער 15 יאר דערפארונג, און מיר צושטעלן צילגעריכטע לייזונגען און פֿאָרשלאָגן פֿאַר יעדן קונה'ס באַדערפֿנישן.
3. אַלע אונדזערע פּראָדוקטן גייען דורך שטרענגע קוואַליטעט דורכקוק איידער זיי ווערן עקספּאָרטירט.
4. אויב איר באַקומט דעפעקטיווע סחורה, קענט איר אונדז קאָנטאַקטירן פֿאַר אַ צוריקצאָל.
1.פּודער מעטאַלורגיע מעטאָד
(דריקן טונגסטן פּודער אין פאָרעם און דערנאָך סינטערן עס ביי הויך טעמפּעראַטור אין אַ וואַסערשטאָף אַטמאָספער)
2. צוגרייטונג פון ספּאַטערינג ציל מאַטעריאַלס
(אויסלייגונג פון וואָלפראַם מאַטעריאַל אויף אַ סאַבסטראַט צו שאַפֿן אַ דין פֿילם)
3. הייסע איזאָסטאַטישע דריקן
(דענטיפֿיקאַציע באַהאַנדלונג פֿון וואָלפֿראַם מאַטעריאַל דורך סיימאַלטייניאַסלי אַפּלייינג הויך טעמפּעראַטור און הויך דרוק)
4. צעשמעלצן מעטאָד
(ניצן הויכע טעמפּעראַטור צו גאָר צעשמעלצן טאַנגסטען, און דערנאָך מאַכן ציל מאַטעריאַלן דורך גיסן אָדער אנדערע פאָרמינג פּראַסעסאַז)
5. כעמישע פארע דעפאזיציע
(מעטאָדע פון צעלאָזן גאַזאַרטיקן פאָרגייער ביי הויכער טעמפּעראַטור און אָפּלייגן וואָלפראַם אויף סאַבסטראַט)
איבער אלע באשרייבונגען, זענען טונגסטן צילן וויכטיג פאר הויך-טעק דין-פילם דעפאזיציע, אריינגערעכנט:
האַלב-קאָנדוקטאָרן און מיקראָעלעקטראָניק:שאַפֿן קאַנדאַקטיווע שיכטן, דיפוזיע באַריערן, און ינטערקאַנעקץ אין אינטעגרירטע קרייזן (VLSI).
פלאַך פּאַנעל דיספּלייז:פאַבריקאַציע פון TFT-LCD סקרינז פֿאַר הויך-דעפֿיניציע טעלעוויזאָרן און מאָניטאָרן.
זונ ענערגיע:געניצט אין דין-פילם זונ - צעלן.
ייבערפלאַך אינזשעניריע און דעקאָראַטיווע קאָוטינגז:פֿאַר מכשירים, אויטאָמאָטיוו לייץ, און אַרכיטעקטוראַל גלאָז.
מעדיציניש און אינדוסטריעל:X-שטראַל רער קאָמפּאָנענטן און אַלגעמיינע ספּאַטער קאָוטינג אַפּלאַקיישאַנז.
מאָליבדענום ווערט אָפט גענוצט ווי אַ ציל מאַטעריאַל אין מאַמאָגראַפֿיע צוליב זייַנע גינסטיגע אייגנשאַפֿטן פֿאַר בילדגעבונג פֿון ברוסט געוועב. מאָליבדענום האט אַ רעלאַטיוו נידעריקע אַטאָמישע נומער, וואָס מיינט אַז די X-שטראַלן וואָס עס פּראָדוצירט זענען ידעאַל פֿאַר בילדגעבונג פֿון ווייכע געוועבן ווי די ברוסט. מאָליבדענום פּראָדוצירט כאַראַקטעריסטישע X-שטראַלן ביי נידעריקערע ענערגיע לעוועלס, מאַכנדיג זיי ידעאַל פֿאַר אָבסערווירן קליינע אונטערשיידן אין ברוסט געוועב געדיכטקייט.
דערצו, מאָליבדענום האט גוטע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי אייגנשאַפטן, וואָס איז וויכטיק אין מאַמאָגראַפֿיע עקוויפּמענט, וואו ריפּיטיד X-שטראַל עקספּאָוזשערז זענען געוויינטלעך. די פיייקייט צו עפֿעקטיוו צעשפּרייטן היץ העלפֿט אויפֿהאַלטן די סטאַביליטעט און פאָרשטעלונג פון X-שטראַל רערן איבער פֿאַרלענגערטע פּיריאַדז פון נוצן.
אינסגעזאַמט, די נוצן פון מאָליבדענום ווי אַ ציל מאַטעריאַל אין מאַמאָגראַפֿיע העלפֿט אָפּטימיזירן די קוואַליטעט פון ברוסט בילדגעבונג דורך צושטעלן פּאַסיק X-שטראַל פּראָפּערטיעס פֿאַר דעם ספּעציפֿישן אַפּלאַקיישאַן.
הויכע ברעכקייט: טונגסטן ציל מאַטעריאַלן האָבן הויכע ברעכקייט און זענען סאַסעפּטאַבאַל צו קלאַפּ און ווייבריישאַן, וואָס קען פאַרשאַפן שעדיקן.
הויכע פּראָדוקציע קאָסטן: די פּראָדוקציע קאָסטן פון טאַנגסטאַן ציל מאַטעריאַל איז לעפיערעך הויך ווייַל זיין פּראָדוקציע פּראָצעס ריקווייערז אַ סעריע פון קאָמפּלעקס פּראָוסידזשערז און הויך-פּינטלעכקייט פּראַסעסינג עקוויפּמענט.
שוועַלדינג שוועריקייט: שוועַלדינג טאַנגסטראַן ציל מאַטעריאַלס איז לעפיערעך שווער און ריקווייערז ספּעציעלע שוועַלדינג פּראָצעסן און טעקניקס צו ענשור די אָרנטלעכקייט פון זייער סטרוקטור און פאָרשטעלונג.
הויך קאָעפיציענט פון טערמישער יקספּאַנשאַן: טאַנגסטאַן ציל מאַטעריאַל האט אַ הויך קאָעפיציענט פון טערמישער יקספּאַנשאַן, אַזוי ווען געניצט אין הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ, ופמערקזאַמקייט זאָל זיין באַצאָלט צו זייַן גרייס ענדערונגען און די השפּעה פון טערמישער דרוק.









