Molybdenum trioxide (MoO3) هڪ اهم ٻه-dimensional (2-D) مواد جي طور تي صلاحيت رکي ٿو، پر ان جي وڏي پيماني تي ان جي طبقي ۾ ٻين کان پوئتي آهي.ھاڻي، A*STAR جي محققن الٽراٿن، اعليٰ معيار جي MoO3 نانوشيٽس کي ماس پيدا ڪرڻ لاءِ ھڪڙو سادو طريقو ٺاھيو آھي.

graphene جي دريافت کان پوء، ٻين 2-D مواد جهڙوڪ منتقلي دھات ڊي-چلڪوجنائيڊس، خاص ڌيان ڏيڻ شروع ڪيو.خاص طور تي، MoO3 هڪ اهم 2-D سيمي ڪنڊڪٽنگ مواد جي طور تي سامهون آيو آهي ڇاڪاڻ ته ان جي قابل ذڪر اليڪٽرانڪ ۽ آپٽيڪل خاصيتن جي ڪري جيڪي اليڪٽرانڪس، آپٽو اليڪٽرونڪس ۽ اليڪٽررو ڪرومڪس ۾ نئين ايپليڪيشنن جي حد تائين واعدو ڪن ٿا.

Liu Hongfei ۽ A*STAR Institute of Materials Research and Engineering and Institute of High Performance Computing جي ساٿين وڏي پئماني تي پيداوار لاءِ هڪ سادي ٽيڪنڪ تيار ڪرڻ جي ڪوشش ڪئي آهي MoO3 جي وڏي، اعليٰ معيار جي نانو شيٽ جيڪي لچڪدار ۽ شفاف آهن.

"موليبڊينم ٽرائي آڪسائيڊ جي ايٽمي طور تي پتلي نانوشيٽس ۾ ناول جا خاصيتون آهن جيڪي اليڪٽرانڪ ايپليڪيشنن جي هڪ حد ۾ استعمال ڪري سگهجن ٿيون،" ليو چوي ٿو."پر سٺي معيار جي نانو شيٽ پيدا ڪرڻ لاء، والدين ڪرسٽل تمام اعلي پاڪائي هجڻ گهرجي."

پهريون ڀيرو تھرمل وانپ ٽرانسپورٽ نالي هڪ ٽيڪنڪ استعمال ڪندي، محقق 1,000 درجا سينس تي ٽيوب فرنس ۾ MoO3 پاؤڊر کي بخار بڻايو.پوءِ، نيوڪليشن سائيٽن جي تعداد کي گھٽائڻ سان، اھي MoO3 جي thermodynamic crystallization سان بھتر ملائي سگھن ٿيون ته جيئن 600 درجا سينٽي گريڊ تي اعليٰ معيار جا ڪرسٽل پيدا ڪري سگھن، بغير ڪنھن خاص سبسٽرٽ جي.

"عام طور تي، بلند درجه حرارت تي ڪرسٽل جي واڌ سبسٽريٽ کان متاثر ٿيندي آهي،" ليو بيان ڪري ٿو."بهرحال، هڪ ارادي سبسٽريٽ جي غير موجودگي ۾، اسان بهتر طور تي ڪرسٽل جي واڌ کي ڪنٽرول ڪري سگهون ٿا، اسان کي اعلي پاڪائي ۽ معيار جي مولبيڊينم ٽرائي آڪسائيڊ ڪرسٽل کي وڌائڻ جي اجازت ڏئي ٿي."

ڪرسٽل کي ڪمري جي گرمي پد تي ٿڌو ڪرڻ کان پوءِ، محققن ايم او 3 ڪرسٽل جا ذيلي ميڪرون-ٿلها بيلٽ پيدا ڪرڻ لاءِ ميخانياتي ۽ آبي خارج ٿيڻ جو استعمال ڪيو.هڪ دفعو انهن بيلٽ کي سونيڪيشن ۽ سينٽرفيوگريشن جي تابع ڪيو، اهي وڏا، اعلي معيار جي MoO3 نانو شيٽ پيدا ڪرڻ جي قابل هئا.

ڪم 2-D MoO3 نانوشيٽس جي انٽليئر اليڪٽرانڪ رابطي ۾ نئين بصيرت مهيا ڪئي آهي.ٽيم پاران ٺاهيل ڪرسٽل جي واڌ ۽ ايڪسفوليئشن ٽيڪنڪ پڻ بينڊ گيپ کي هٿي وٺرائڻ ۾ مددگار ثابت ٿي سگهي ٿي- ۽ ان ڪري 2-D مواد جي آپٽو اليڪٽرونڪ پراپرٽيز- 2-D heterojunctions ٺاهيندي.

"اسان ھاڻي ڪوشش ڪري رھيا آھيون 2-D MoO3 نانو شيٽ وڏن علائقن سان گڏ، ۽ گڏوگڏ ٻين ڊوائيسز ۾ انھن جي امڪاني استعمال کي ڳولي رھيا آھيون، جهڙوڪ گيس سينسرز،" ليو چوي ٿو.