|
| ໂມລິບເດັນ | ແຕງສະເຕນ | ທາຕັນລຳ | Niobium | Chromium |
| ຄວາມແຂງ (20 ℃) | ການບັນເທົາຄວາມກົດດັນໄດ້ annealed: 220 (HV10) Recrystallized＞160 – 180[HV10] | annealed ການບັນເທົາຄວາມກົດດັນ: 460 (HV30) recrystallized ＞360 (HV30) | ຜິດປົກກະຕິ: 120 – 220 [HV10] Recrystallized: 80 – 125 [HV10] | ຜິດປົກກະຕິ: 110 – 180 [HV10] recrystallized: 60 – 110[HV10] | 180 – 250 [HV10] |
| ໂມດູນຂອງຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ (20 ℃) | 320 [GPa] | 405 [GPa] | 186 [GPa] | 104 [GPa] | 294 [GPa] |
| ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນເສັ້ນ (20 ℃) | 5.2 · 10-6 [m/(m·K)] | 4.4 · 10-6 [m/(m·K)] | 6.4 · 10-6 [m/(m·K)] | 7.1 · 10-6 [m/(m·K)] | 6.2 · 10-6 [m/(m·K)] |
| ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (20 ℃) | 142 [W/(m·K)] | ໑໖໔ [W/(m·K)] | 57.5 [W/(m·K)] | 53.7 [W/(m·K)] | 93.7 [W/(m·K)] |
| ຄວາມຮ້ອນສະເພາະ (20 ℃) | 0.25 [J/(g·K)] | 0.13 [J/(g·K)] | 0.14 [J/(g·K)] | 0.27 [J/(g·K)] | 0,45 [J/(g·K)] |
| ການນໍາໄຟຟ້າ (20 ℃) | 17.9 · 106 [1/(Ω·m)] | 18.2 · 106 [1/(Ω·m)] | 8 · 106[1/(Ω·m)] | 7.1 · 106[1/(Ω·m)] | 7.9 · 106 [1/(Ω·m)] |
| ຄວາມຕ້ານທານໄຟຟ້າສະເພາະ (20 ℃) | 0,056 [(Ω·ມມ2)/ມ] | 0.055 [(Ω·ມມ2)/ມ] | 0.125 [(Ω·ມມ2)/] | 0.141 [(Ω·ມມ2)/ມ] | 0.127 [(Ω·ມມ2)/ມ] |
| ຫນ້າທີ່ເຮັດວຽກຂອງເອເລັກໂຕຣນິກ | 4,39 [eV] | 4.54 [eV] | 4.3 [eV] | 4.3 [eV] | 4,5 [eV] |
| Recrystallization ອຸນຫະພູມ | 1100℃ | 1350℃ | 900-1450℃ | 850 – 1,300 ອົງສາ |
|
ເວລາປະກາດ: ກັນຍາ-29-2019