អ្នកវិទ្យាសាស្ត្រនៅសាកលវិទ្យាល័យ Rice បានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាអង្គចងចាំរឹង ដែលអនុញ្ញាតឱ្យផ្ទុកដង់ស៊ីតេខ្ពស់ ជាមួយនឹងឧប្បត្តិហេតុអប្បបរមានៃកំហុសកុំព្យូទ័រ។

ការចងចាំគឺផ្អែកលើtantalum អុកស៊ីដដែលជាអ៊ីសូឡង់ទូទៅនៅក្នុងអេឡិចត្រូនិច។អនុវត្តវ៉ុលទៅសាំងវិចក្រាស់ 250 ណាណូម៉ែត្រនៃ graphene, tantalum, nanoporousតានតាលូមអុកស៊ីដ និងផ្លាទីនបង្កើតប៊ីតដែលអាចដោះស្រាយបាន ដែលស្រទាប់ជួប។គ្រប់គ្រងវ៉ុលដែលផ្លាស់ប្តូរអ៊ីយ៉ុងអុកស៊ីសែន និងកន្លែងទំនេរ ប្តូរប៊ីតរវាងលេខមួយ និងសូន្យ។

ការរកឃើញដោយមន្ទីរពិសោធន៍ Rice របស់អ្នកគីមីវិទ្យា James Tour អាចអនុញ្ញាតឱ្យមានការចងចាំអារេឈើឆ្កាងដែលផ្ទុករហូតដល់ទៅ 162 ជីហ្គាប៊ីត ដែលខ្ពស់ជាងប្រព័ន្ធអង្គចងចាំដែលមានមូលដ្ឋានលើអុកស៊ីដផ្សេងទៀតដែលស្ថិតនៅក្រោមការស៊ើបអង្កេតដោយអ្នកវិទ្យាសាស្ត្រ។(ប្រាំបីប៊ីតស្មើនឹងមួយបៃ; ឯកតា 162 ជីហ្គាបៃនឹងផ្ទុកព័ត៌មានប្រហែល 20 ជីហ្គាបៃ។ )

ព័ត៌មានលម្អិតបង្ហាញនៅលើអ៊ីនធឺណិតនៅក្នុងទស្សនាវដ្តី American Chemical Societyអក្សរណាណូ.

ដូចជាការរកឃើញពីមុនរបស់មន្ទីរពិសោធន៍ Tour នៃការចងចាំស៊ីលីកុនអុកស៊ីដ ឧបករណ៍ថ្មីនេះត្រូវការតែអេឡិចត្រូតពីរប៉ុណ្ណោះក្នុងមួយសៀគ្វី ដែលធ្វើឱ្យពួកវាសាមញ្ញជាងអង្គចងចាំពន្លឺបច្ចុប្បន្នដែលប្រើបី។Tour បាននិយាយថា "ប៉ុន្តែនេះគឺជាវិធីថ្មីដើម្បីធ្វើឱ្យអង្គចងចាំកុំព្យូទ័រដែលមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុជ្រុល" ។

អង្គចងចាំដែលមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុរក្សាទិន្នន័យរបស់ពួកគេសូម្បីតែនៅពេលដែលថាមពលបិទក៏ដោយ មិនដូចអង្គចងចាំកុំព្យូទ័រដែលចូលប្រើដោយចៃដន្យដែលបាត់បង់មាតិការបស់វានៅពេលដែលម៉ាស៊ីនត្រូវបានបិទ។

បន្ទះឈីបអង្គចងចាំទំនើបមានតម្រូវការជាច្រើន៖ ពួកគេត្រូវអាន និងសរសេរទិន្នន័យក្នុងល្បឿនលឿន ហើយសង្កត់ឱ្យបានច្រើនតាមដែលអាចធ្វើទៅបាន។ពួកវាក៏ត្រូវតែប្រើប្រាស់បានយូរ និងបង្ហាញការរក្សាទុកទិន្នន័យនោះបានល្អ ខណៈពេលដែលប្រើប្រាស់ថាមពលតិចបំផុត។

Tour បាននិយាយថា ការរចនាថ្មីរបស់ Rice ដែលទាមទារថាមពលតិចជាងឧបករណ៍បច្ចុប្បន្ន 100 ដង មានសក្តានុពលក្នុងការវាយលុកទាំងអស់។

“នេះតានតាលូមអង្គចងចាំគឺផ្អែកលើប្រព័ន្ធស្ថានីយពីរ ដូច្នេះវាត្រូវបានកំណត់ទាំងអស់សម្រាប់អង្គចងចាំ 3-D” គាត់បាននិយាយថា។“ហើយវាក៏មិនត្រូវការ diodes ឬ selectors ដែរ ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាការចងចាំ ultradense ងាយស្រួលបំផុតក្នុងការសាងសង់។នេះនឹងក្លាយជាដៃគូប្រកួតប្រជែងពិតប្រាកដសម្រាប់តម្រូវការអង្គចងចាំដែលកំពុងកើនឡើងនៅក្នុងការផ្ទុកវីដេអូនិយមន័យខ្ពស់ និងអារេម៉ាស៊ីនមេ។

រចនាសម្ព័ន្ធស្រទាប់រួមមាន tantalum, nanoporous tantalum oxide និង multilayer graphene រវាងអេឡិចត្រូតផ្លាទីនពីរ។ក្នុងការផលិតសម្ភារៈនេះ អ្នកស្រាវជ្រាវបានរកឃើញថា tantalum oxide បាត់បង់អ៊ីយ៉ុងអុកស៊ីហ្សែនបន្តិចម្តងៗ ដោយផ្លាស់ប្តូរពីសារធាតុ semiconductor nanoporous ដែលសំបូរទៅដោយអុកស៊ីហ្សែននៅផ្នែកខាងលើទៅជាអុកស៊ីសែនខ្សោយនៅខាងក្រោម។កន្លែងដែលអុកស៊ីហ៊្សែនរលាយបាត់ទាំងស្រុង វាក្លាយជា តានតាលូមសុទ្ធ ដែលជាលោហៈ។