Zanyarên li Zanîngeha Rice teknolojiyek bîranînê ya hişk çêkiriye ku destûrê dide hilanîna bi tîrêjiya bilind bi kêmînek xeletiyên komputerê.

Bîranîn li ser bingeh inoxide tantal, insulatorek hevpar di elektronîk de.Sepandina voltaja li sandwiçeke 250 nanometre qalind a ji grafen, tantal, nanopor.tantaloksît û platîn li cihê ku qat li hev dicivin, bitên navnîşkirî diafirîne.Voltajên kontrolê yên ku îyonên oksîjenê û valahiyan diguhezînin bit di navbera yek û sifiran de diguherînin.

Vedîtina ji hêla laboratuvara Rice ya kîmyazan James Tour ve dibe ku rê bide bîranînên rêzika xaçerê yên ku heya 162 gigabitan hilîne, ku ji pergalên bîranînê yên din ên oksîdê yên ku ji hêla zanyaran ve têne lêkolîn kirin pir bilindtir e.(Heşt bit bi yek byte re ne; yekîneyek 162 gigabit dê bi qasî 20 gigabayt agahdarî hilîne.)

Agahdarî di kovara Civaka Kîmyewî ya Amerîkî de li serhêl têne xuyang kirinNano Name.

Mîna keşfa berê ya laboratûara Tour ya bîranînên oxide silicon, cîhazên nû ji her çerxê tenê du elektrodê hewce dike, ku wan ji bîranînên flash ên îroyîn ên ku sê bikar tînin hêsantir dike."Lê ev rêgezek nû ye ku meriv bîranîna komputerê ya ultradense, nevolatile çêbike," Tour got.

Bîranînên nevolatile jî dema ku elektrîk qut be jî daneyên xwe digire, berevajî bîranînên kompîturê yên bêserûber ên ku dema ku makîne tê girtin naveroka xwe winda dikin.

Çîpên bîra nûjen gelek hewcedarî hene: Pêdivî ye ku ew daneyan bi leza bilind bixwînin û binivîsin û bi qasî ku pêkan bigirin.Pêdivî ye ku ew di heman demê de domdar bin û dema ku hêza hindiktirîn bikar bînin wan daneyan baş nîşan bidin.

Tour got sêwirana nû ya Rice, ku ji amûrên heyî 100 qat kêmtir enerjiyê hewce dike, potansiyela wê heye ku li hemî nîşanan bixe.

"Evtantalbîr li ser pergalên du-termînalê ye, ji ber vê yekê ew hemî ji bo stûnên bîranîna 3-D hatî saz kirin, "wî got."Û ew ne hewceyî dîod û hilbijarkeran e jî, çêkirina wê dike yek ji hêsantirîn bîranînên ultradense.Ev dê bibe hevrikek rastîn ji bo daxwazên bîranînê yên mezin ên di hilanînê vîdyoyê û rêzikên serverê de.

Struktura qatkirî ji tantalum, oksîdê tantalumê nanopor û grafene pirreng di navbera du elektrodên platîn de pêk tê.Di çêkirina materyalê de, lêkolîneran dît ku oksîda tantalê gav bi gav îyonên oksîjenê winda dike, ji nîvconduktorek dewlemend a oksîjenê û nanoporê ya li jor berbi oksîjenê ya xizan ve diguhere.Cihê ku oksîjen bi tevahî winda dibe, ew dibe tantalumek paqij, metal.