Rice universiteto mokslininkai sukūrė kietojo kūno atminties technologiją, kuri leidžia saugoti didelio tankio duomenis su minimaliu kompiuterio klaidų dažniu.

Prisiminimai yra pagrįstitantalo oksidas, įprastas elektronikos izoliatorius.Įtampos tiekimas 250 nanometrų storio grafeno, tantalo, nanoporinio sumuštiniotantalasoksidas ir platina sukuria adresuojamus bitus ten, kur susitinka sluoksniai.Valdymo įtampa, perkelianti deguonies jonus ir laisvas vietas, perjungia bitus tarp vienetų ir nulių.

Chemiko Jameso Touro Rice laboratorijos atradimas gali leisti skersinių matricų atmintims, kurios saugo iki 162 gigabitų, daug daugiau nei kitose mokslininkų tiriamose oksidų pagrindu veikiančiose atminties sistemose.(Aštuoni bitai prilygsta vienam baitui; 162 gigabitų įrenginys saugotų apie 20 gigabaitų informacijos.)

Išsami informacija pateikiama internete Amerikos chemijos draugijos žurnaleNano raidės.

Kaip ir ankstesnis „Tour“ laboratorijos atradimas apie silicio oksido atmintį, naujiems įrenginiams reikia tik dviejų elektrodų vienai grandinei, todėl jie yra paprastesni už dabartines „flash“ atmintis, kuriose naudojami trys."Tačiau tai yra naujas būdas sukurti itin tankią, nepastovią kompiuterio atmintį", - sakė Tour.

Nelakiosios atminties saugo savo duomenis net tada, kai maitinimas išjungtas, kitaip nei nepastovios atsitiktinės prieigos kompiuterių atmintinės, kurios praranda turinį, kai įrenginys išjungiamas.

Šiuolaikinės atminties lustai turi daug reikalavimų: jie turi skaityti ir rašyti duomenis dideliu greičiu ir išlaikyti kiek įmanoma daugiau.Jie taip pat turi būti patvarūs ir gerai išsaugoti tuos duomenis naudojant minimalią galią.

Tour teigė, kad naujasis Rice dizainas, kuriam reikia 100 kartų mažiau energijos nei dabartiniai įrenginiai, gali pasiekti visus tikslus.

„Šįtantalasatmintis yra pagrįsta dviejų terminalų sistemomis, todėl viskas nustatyta 3D atminties krūvelėms“, – sakė jis.„Ir jam net nereikia diodų ar selektorių, todėl tai yra vienas iš lengviausiai sukonstruojamų itin tankių atmintinių.Tai bus tikras konkurentas dėl augančių atminties poreikių didelės raiškos vaizdo įrašų saugykloje ir serverių masyvuose.

Sluoksniuota struktūra susideda iš tantalo, nanoporinio tantalo oksido ir daugiasluoksnio grafeno tarp dviejų platinos elektrodų.Gamindami medžiagą tyrėjai nustatė, kad tantalo oksidas palaipsniui praranda deguonies jonus, virsdamas iš deguonies turtingo, nanoporinio puslaidininkio viršuje į deguonies neturtingą apačioje.Ten, kur deguonis visiškai išnyksta, jis tampa grynu tantalu, metalu.