राइस यूनिवर्सिटी के वैज्ञानिकों ने एक सॉलिड-स्टेट मेमोरी तकनीक बनाई है जो कंप्यूटर त्रुटियों की न्यूनतम घटनाओं के साथ उच्च-घनत्व भंडारण की अनुमति देती है।

स्मृतियों पर आधारित हैंटैंटलम ऑक्साइड, इलेक्ट्रॉनिक्स में एक सामान्य इन्सुलेटर।ग्राफीन, टैंटलम, नैनोपोरस के 250-नैनोमीटर-मोटे सैंडविच पर वोल्टेज लागू करनाटैंटलमऑक्साइड और प्लैटिनम पता योग्य बिट्स बनाते हैं जहां परतें मिलती हैं।नियंत्रण वोल्टेज जो ऑक्सीजन आयनों और रिक्तियों को स्थानांतरित करते हैं, बिट्स को एक और शून्य के बीच स्विच करते हैं।

रसायनज्ञ जेम्स टूर की राइस लैब द्वारा की गई खोज क्रॉसबार ऐरे मेमोरी की अनुमति दे सकती है जो 162 गीगाबिट तक संग्रहीत होती है, जो वैज्ञानिकों द्वारा जांच के तहत अन्य ऑक्साइड-आधारित मेमोरी सिस्टम की तुलना में बहुत अधिक है।(आठ बिट एक बाइट के बराबर होते हैं; एक 162-गीगाबिट इकाई लगभग 20 गीगाबाइट जानकारी संग्रहीत करेगी।)

विवरण अमेरिकन केमिकल सोसाइटी जर्नल में ऑनलाइन दिखाई देते हैंनैनो पत्र.

टूर लैब की सिलिकॉन ऑक्साइड यादों की पिछली खोज की तरह, नए उपकरणों को प्रति सर्किट केवल दो इलेक्ट्रोड की आवश्यकता होती है, जो उन्हें वर्तमान फ्लैश मेमोरी की तुलना में सरल बनाती है जो तीन का उपयोग करती हैं।"लेकिन यह अल्ट्राडेंस, गैर-वाष्पशील कंप्यूटर मेमोरी बनाने का एक नया तरीका है," टूर ने कहा।

गैर-वाष्पशील यादें बिजली बंद होने पर भी अपना डेटा रखती हैं, अस्थिर रैंडम-एक्सेस कंप्यूटर मेमोरी के विपरीत जो मशीन बंद होने पर अपनी सामग्री खो देती हैं।

आधुनिक मेमोरी चिप्स की कई आवश्यकताएँ होती हैं: उन्हें डेटा को तेज़ गति से पढ़ना और लिखना होता है और जितना संभव हो उतना पकड़ना होता है।उन्हें टिकाऊ भी होना चाहिए और न्यूनतम बिजली का उपयोग करते हुए उस डेटा का अच्छा रखरखाव दिखाना चाहिए।

टूर ने कहा कि राइस का नया डिज़ाइन, जिसमें वर्तमान उपकरणों की तुलना में 100 गुना कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है, सभी अंकों को हिट करने की क्षमता रखता है।

"यहटैंटलममेमोरी दो-टर्मिनल सिस्टम पर आधारित है, इसलिए यह 3-डी मेमोरी स्टैक के लिए पूरी तरह तैयार है," उन्होंने कहा।“और इसे डायोड या चयनकर्ताओं की भी आवश्यकता नहीं है, जो इसे निर्माण के लिए सबसे आसान अल्ट्राडेंस मेमोरी में से एक बनाता है।हाई-डेफिनिशन वीडियो स्टोरेज और सर्वर ऐरे में बढ़ती मेमोरी मांगों के लिए यह एक वास्तविक प्रतियोगी होगा।

स्तरित संरचना में दो प्लैटिनम इलेक्ट्रोड के बीच टैंटलम, नैनोपोरस टैंटलम ऑक्साइड और बहुपरत ग्राफीन होते हैं।सामग्री बनाने में, शोधकर्ताओं ने पाया कि टैंटलम ऑक्साइड धीरे-धीरे ऑक्सीजन आयन खो देता है, जो शीर्ष पर ऑक्सीजन युक्त, नैनोपोरस अर्धचालक से नीचे ऑक्सीजन-गरीब में बदल जाता है।जहां ऑक्सीजन पूरी तरह से गायब हो जाती है, वह शुद्ध टैंटलम, एक धातु बन जाती है।