Científicos da Universidade de Rice crearon unha tecnoloxía de memoria de estado sólido que permite almacenamento de alta densidade cunha incidencia mínima de erros informáticos.

As lembranzas baséanseóxido de tantalio, un illante común na electrónica.Aplicando tensión a un bocadillo de 250 nanómetros de espesor de grafeno, tántalo e nanoporosostántaloo óxido e o platino crean bits direccionables onde se atopan as capas.As tensións de control que cambian os ións de osíxeno e as vacantes cambian os bits entre uns e ceros.

O descubrimento do laboratorio Rice do químico James Tour podería permitir memorias de matriz de barras cruzadas que almacenan ata 162 gigabits, moito máis que outros sistemas de memoria baseados en óxidos que investigan os científicos.(Oito bits equivalen a un byte; unha unidade de 162 gigabits almacenaría uns 20 gigabytes de información).

Os detalles aparecen en liña na revista da American Chemical SocietyNano Letras.

Do mesmo xeito que o descubrimento previo do laboratorio de Tour de memorias de óxido de silicio, os novos dispositivos requiren só dous electrodos por circuíto, o que os fai máis sinxelos que as memorias flash actuais que usan tres."Pero esta é unha nova forma de facer memoria de ordenador ultradensa e non volátil", dixo Tour.

As memorias non volátiles manteñen os seus datos mesmo cando a alimentación está apagada, a diferenza das memorias volátiles de ordenadores de acceso aleatorio que perden o seu contido cando a máquina se apaga.

Os chips de memoria modernos teñen moitos requisitos: teñen que ler e escribir datos a alta velocidade e manter o máximo posible.Tamén deben ser duradeiros e mostrar unha boa retención deses datos mentres usan unha potencia mínima.

Tour dixo que o novo deseño de Rice, que require 100 veces menos enerxía que os dispositivos actuais, ten o potencial de acadar todas as marcas.

“Istotántaloa memoria está baseada en sistemas de dous terminais, polo que está todo preparado para pilas de memoria 3D", dixo."E nin sequera precisa de díodos ou selectores, polo que é unha das memorias ultradensas máis fáciles de construír.Este será un verdadeiro competidor para as crecentes demandas de memoria no almacenamento de vídeo de alta definición e as matrices de servidores".

A estrutura en capas consiste en tántalo, óxido de tantalio nanoporoso e grafeno multicapa entre dous electrodos de platino.Ao fabricar o material, os investigadores descubriron que o óxido de tántalo perde gradualmente ións de osíxeno, pasando dun semicondutor rico en osíxeno e nanoporoso na parte superior a pobre en osíxeno na parte inferior.Cando o osíxeno desaparece por completo, convértese en tántalo puro, un metal.