Waxaa jira shucaac hawo halis ah oo galay walxo adag, ion beam ilaa atomyada walxaha adag ama molecules galay dusha walxaha adag, dhacdadan waxa loo yaqaan ion beam sputtering;iyo marka walxaha adag, oogada walxaha adag ay dib u soo noqdaan, ama ka soo baxa walxaha adag ee dhacdooyinkan waxaa loo yaqaannaa kala firdhis;Waxaa jira ifafaale kale oo ah in ka dib markii ion ion in walxaha adag by walxaha adag iyo in la yareeyo caabbinta si tartiib ah hoos, iyo ugu dambeyntii ku sii jir walxaha adag, ifafaale this waxaa loo yaqaan implantation ion.
Farsamada beeritaanka Ion:
Waa nooc ka mid ah teknoolojiyadda wax-ka-beddelka alaabta oo si degdeg ah u horumartay oo si weyn looga isticmaalay adduunka 30kii sano ee la soo dhaafay.Mabda'a aasaasiga ah waa in la isticmaalo tamarta dhacdada beam ion si ay u 100kV walxo to beam ion iyo walxaha atamka ama molecules waxay noqon doonaan taxane ah oo isdhexgalka jirka iyo kiimikaad, dhacdada ion tamarta lumis si tartiib tartiib ah, joogsiga ugu dambeeya ee maaddada, oo ay keento qaab-dhismeedka iyo sifooyinka walxaha dusha sare, isbeddel.Si loo hagaajiyo sifooyinka dusha sare ee alaabta, ama si loo helo qaar ka mid ah guryaha cusub.Tiknoolajiyada cusub sababtoo ah faa'iidooyinkeeda gaarka ah, waxay ku jirtay maadada semiconductor doped, birta, dhoobada, polymer, wax ka beddelka dusha sare ayaa si ballaaran loo isticmaalaa, wuxuu gaadhay faa'iidooyin dhaqaale iyo bulsho weyn.
Ion ku dhejinta sida tignoolajiyada muhiimka ah ee doping-ka ee tignoolajiyada elektiroonigga ah ee yar-yar ayaa door muhiim ah ka ciyaarta hagaajinta sifooyinka dusha sare ee alaabta.Tiknoolajiyada ku dhejinta ion waa wax qabad heerkul aad u sarreeya iyo iska caabinta daxalka kiimikada ee walxaha.Sidaa darteed, qaybaha ugu muhiimsan ee qolka ionization waxay ka samaysan yihiin tungsten, molybdenum ama qalab graphite.Sannadaha Gemei ee cilmi-baarista warshadaha iyo wax-soo-saarka by ion implantation of tungsten molybdenum maaddooyinka, habka wax soo saarku wuxuu leeyahay khibrad deggan oo qani ah.
Alaabada Kulul ee Ion Implantation
