Existe un haz de iones de aire intenso que penetra en un material sólido; el haz de iones impacta los átomos o moléculas del material sólido en su superficie, fenómeno denominado pulverización iónica. Cuando el material sólido rebota en su superficie o sale de ella, se produce un fenómeno denominado dispersión. Otro fenómeno consiste en que, tras penetrar el haz de iones en el material sólido, este reduce lentamente su resistencia y, finalmente, permanece en él; este fenómeno se denomina implantación iónica.
Técnica de implantación iónica:
Se trata de una tecnología de modificación de superficies de materiales que se ha desarrollado rápidamente y se ha extendido por todo el mundo en los últimos 30 años. Su principio básico consiste en utilizar un haz de iones con energía del orden de 100 keV que incide sobre el material. Este haz interactúa con los átomos o moléculas del material mediante una serie de interacciones físico-químicas. La energía de los iones incidentes disminuye gradualmente hasta detenerse en el material, lo que provoca cambios en la estructura y las propiedades de la superficie. Esto permite optimizar las propiedades superficiales de los materiales u obtener nuevas propiedades. Gracias a sus ventajas únicas, esta nueva tecnología se ha utilizado ampliamente en la modificación de superficies de materiales semiconductores dopados, metales, cerámicas y polímeros, logrando grandes beneficios económicos y sociales.
La implantación iónica, como tecnología de dopaje clave en la microelectrónica, desempeña un papel fundamental en la optimización de las propiedades superficiales de los materiales. Esta tecnología ofrece un rendimiento a altas temperaturas y una gran resistencia a la corrosión química. Por ello, los componentes principales de la cámara de ionización están fabricados con tungsteno, molibdeno o grafito. Gemei cuenta con años de investigación y producción industrial mediante implantación iónica de tungsteno-molibdeno, lo que le confiere una amplia y estable experiencia en el proceso de producción.