Bərk bir materiala ciddi bir hava ion şüası daxil olur, ion şüası bərk materialın atomlarına və ya molekullarına bərk materialın səthinə keçir, bu fenomen ion şüasının püskürməsi adlanır; bərk material, bərk materialın səthi geri sıçrayanda və ya bərk materialdan çıxdıqda bu fenomenə səpələnmə deyilir; başqa bir fenomen isə ion şüasının bərk materiala keçməsindən və müqavimətini yavaş-yavaş azaltdıqdan və nəticədə bərk materialda qalmasından ibarətdir, bu fenomenə ion implantasiyası deyilir.
İon implantasiyası texnikası:
Son 30 ildə dünyada sürətlə inkişaf edən və geniş istifadə olunan bir növ material səthi modifikasiya texnologiyasıdır. Əsas prinsip, 100 keV-lik bir materialdan ion şüası enerjisini istifadə edərək ion şüası ilə materiallar arasında bir sıra fiziki və kimyəvi qarşılıqlı təsirlər yaratmaqdır. Bu, tədricən materialın son dayanacağı olan ion enerjisinin itirilməsinə və materialın səth tərkibinin dəyişməsinə səbəb olur. Materialların səth xüsusiyyətlərini optimallaşdırmaq və ya bəzi yeni xüsusiyyətlər əldə etmək üçün yeni texnologiya özünəməxsus üstünlüklərinə görə aşqarlanmış yarımkeçirici material, metal, keramika, polimer, səth modifikasiyasında geniş istifadə olunur və böyük iqtisadi və sosial faydalar əldə edir.
Mikroelektronika texnologiyasında mühüm dopinq texnologiyası kimi ion implantasiyası materialların səth xüsusiyyətlərinin optimallaşdırılmasında əsas rol oynayır. İon implantasiyası texnologiyası materialın çox yüksək temperatur göstəricilərinə və kimyəvi korroziyaya davamlılığına malikdir. Buna görə də, ionlaşma kamerasının əsas hissələri volfram, molibden və ya qrafit materiallarından hazırlanır. Gemei, volfram molibden materialının ion implantasiyası ilə sənaye tədqiqatları və istehsalı sahəsində illərlə təcrübəyə malikdir və istehsal prosesi sabit və zəngin təcrübəyə malikdir.
İon İmplantasiyası üçün İsti Məhsullar
