Existe um feixe de íons de ar comprimido direcionado para um material sólido. O feixe de íons atinge átomos ou moléculas do material sólido e os deposita na superfície do material sólido; esse fenômeno é chamado de pulverização por feixe de íons. Quando o material sólido é atingido, os íons são refletidos de volta pela superfície ou expelidos, fenômenos chamados de espalhamento. Outro fenômeno ocorre quando, após o feixe de íons atingir o material sólido, sua resistência diminui gradualmente até que os íons se fixem no material; esse fenômeno é chamado de implantação iônica.
Técnica de implantação iônica:
É uma tecnologia de modificação de superfície de materiais que se desenvolveu rapidamente e se tornou amplamente utilizada no mundo nos últimos 30 anos. O princípio básico consiste em utilizar a energia de um feixe de íons incidente sobre o material, na ordem de 100 keV. O feixe de íons interage com os átomos ou moléculas do material por meio de uma série de interações físico-químicas, resultando na perda gradual de energia dos íons incidentes, que param no material e alteram a estrutura e as propriedades da sua superfície. Essa tecnologia permite otimizar as propriedades da superfície dos materiais ou obter novas propriedades. Devido às suas vantagens exclusivas, ela tem sido amplamente utilizada na modificação de superfícies de materiais semicondutores dopados, metais, cerâmicas e polímeros, alcançando grandes benefícios econômicos e sociais.
A implantação iônica, como importante tecnologia de dopagem na microeletrônica, desempenha um papel fundamental na otimização das propriedades superficiais dos materiais. Essa tecnologia proporciona alto desempenho em altas temperaturas e excelente resistência à corrosão química. Por isso, os principais componentes da câmara de ionização são fabricados com tungstênio, molibdênio ou grafite. A Gemei possui anos de experiência em pesquisa e produção industrial com implantação iônica em tungstênio-molibdênio, um processo de fabricação estável e abrangente.
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