Существует серьезный пучок ионов воздуха в твердый материал, пучок ионов в атомы или молекулы твердого материала на поверхность твердого материала, это явление называется распылением ионного луча;и когда твердый материал, поверхность твердого материала отскочила назад или вышла из твердого материала, эти явления называются рассеянием;Существует еще одно явление: после того, как ионный луч попадает в твердый материал с помощью твердого материала, сопротивление медленно снижается и в конечном итоге остается в твердых материалах, это явление называется ионной имплантацией.
Техника ионной имплантации:
Это своего рода технология модификации поверхности материала, которая быстро развивалась и широко использовалась в мире за последние 30 лет.Основной принцип заключается в использовании энергии ионного луча, падающего на материал порядка 100 кэВ, на ионный луч, а материалы атомов или молекул будут представлять собой серию физических и химических взаимодействий, потеря энергии падающих ионов постепенно, последняя остановка в материала и вызывают изменение структуры и свойств состава поверхности материала.С целью оптимизации поверхностных свойств материалов или получения каких-то новых свойств.Новая технология, благодаря своим уникальным преимуществам, широко используется в легированных полупроводниковых материалах, металлах, керамике, полимерах, модификации поверхности, добилась больших экономических и социальных выгод.
Ионная имплантация как важная технология легирования в микроэлектронной технике играет ключевую роль в оптимизации поверхностных свойств материалов.Технология ионной имплантации отличается очень высокими температурными характеристиками и стойкостью к химической коррозии, стойкостью материала.Поэтому основные части ионизационной камеры изготавливаются из вольфрамовых, молибденовых или графитовых материалов.Имея годы отраслевых исследований и производства путем ионной имплантации вольфрам-молибденового материала, производственный процесс имеет стабильный и богатый опыт.
Горячие продукты для ионной имплантации
