При попадании пучка ионов в твердый материал происходит интенсивное воздействие на атомы или молекулы твердого материала, проникая в его поверхность. Это явление называется ионным распылением. Отскок ионов от поверхности твердого материала называется рассеянием. Существует также другое явление: после прохождения ионного пучка через твердый материал его сопротивление постепенно снижается, и ионы остаются в нем. Это явление называется ионной имплантацией.
Техника ионной имплантации:
Это технология модификации поверхности материалов, которая быстро развивалась и получила широкое распространение в мире за последние 30 лет. Основной принцип заключается в использовании ионного пучка с энергией порядка 100 кэВ, воздействующего на материал. В результате происходит ряд физических и химических взаимодействий между атомами или молекулами материала, при этом энергия падающих ионов постепенно снижается, достигая конечной точки в материале, что приводит к изменению структуры и свойств поверхности. Целью является оптимизация поверхностных свойств материалов или получение новых свойств. Благодаря своим уникальным преимуществам, эта технология широко применяется для модификации поверхности легированных полупроводниковых материалов, металлов, керамики и полимеров, достигнув значительных экономических и социальных преимуществ.
Ионная имплантация, как важная технология легирования в микроэлектронике, играет ключевую роль в оптимизации поверхностных свойств материалов. Технология ионной имплантации обладает очень высокими температурными характеристиками и устойчивостью к химической коррозии. Поэтому основные части ионизационной камеры изготавливаются из вольфрама, молибдена или графита. Многолетние исследования и производство материалов на основе ионной имплантации вольфрама и молибдена позволили компании Gemei накопить стабильный и богатый опыт в этой области.