Υπάρχει μια σοβαρή δέσμη ιόντων αέρα σε ένα στερεό υλικό, η δέσμη ιόντων σε άτομα ή μόρια στερεού υλικού στην επιφάνεια του στερεού υλικού, αυτό το φαινόμενο ονομάζεται ψεκασμός δέσμης ιόντων. Και όταν το στερεό υλικό, η επιφάνεια του στερεού υλικού αναπηδά πίσω, ή βγαίνει από το στερεό υλικό σε αυτά τα φαινόμενα ονομάζεται σκέδαση. Υπάρχει ένα άλλο φαινόμενο είναι ότι μετά την δέσμη ιόντων στο στερεό υλικό από το στερεό υλικό και μειώνεται αργά η αντίσταση, και τελικά παραμένει στα στερεά υλικά, αυτό το φαινόμενο ονομάζεται εμφύτευση ιόντων.
Τεχνική εμφύτευσης ιόντων:
Είναι ένα είδος τεχνολογίας τροποποίησης επιφάνειας υλικών που έχει αναπτυχθεί ραγδαία και χρησιμοποιείται ευρέως στον κόσμο τα τελευταία 30 χρόνια. Η βασική αρχή είναι να χρησιμοποιηθεί η ενέργεια της δέσμης ιόντων της τάξης των 100keV που προσπίπτει σε δέσμη ιόντων και τα υλικά των ατόμων ή των μορίων θα υποστούν μια σειρά φυσικών και χημικών αλληλεπιδράσεων, η απώλεια ενέργειας των προσπίπτοντων ιόντων σταδιακά, η τελευταία στάση στο υλικό, και να προκαλέσει αλλαγή στη δομή και τις ιδιότητες της σύνθεσης της επιφάνειας του υλικού. Προκειμένου να βελτιστοποιηθούν οι επιφανειακές ιδιότητες των υλικών ή να επιτευχθούν ορισμένες νέες ιδιότητες. Η νέα τεχνολογία, λόγω των μοναδικών πλεονεκτημάτων της, έχει χρησιμοποιηθεί ευρέως σε υλικά ημιαγωγών με πρόσμιξη, μέταλλο, κεραμικό, πολυμερές, για την τροποποίηση επιφανειών, και έχει επιτύχει μεγάλα οικονομικά και κοινωνικά οφέλη.
Η εμφύτευση ιόντων ως σημαντική τεχνολογία πρόσμιξης στην μικροηλεκτρονική τεχνολογία παίζει βασικό ρόλο στη βελτιστοποίηση των επιφανειακών ιδιοτήτων των υλικών. Η τεχνολογία εμφύτευσης ιόντων προσφέρει πολύ υψηλή απόδοση θερμοκρασίας και αντοχή στη χημική διάβρωση του υλικού. Ως εκ τούτου, τα κύρια μέρη του θαλάμου ιονισμού είναι κατασκευασμένα από υλικά βολφραμίου, μολυβδαινίου ή γραφίτη. Η Gemei έχει χρόνια βιομηχανικής έρευνας και παραγωγής με εμφύτευση ιόντων υλικού βολφραμίου-μολυβδαινίου, η διαδικασία παραγωγής έχει σταθερή και πλούσια εμπειρία.
Θερμά προϊόντα για εμφύτευση ιόντων
