Există un fascicul de ioni de aer puternic care intră într-un material solid, iar fasciculul de ioni trimite atomii sau moleculele unui material solid la suprafața acestuia, fenomen numit pulverizare cu fascicul de ioni; iar atunci când materialul solid se retrage la suprafața materialului solid sau iese din acesta, acest fenomen se numește împrăștiere; există un alt fenomen, acela că, după ce fasciculul de ioni ajunge la materialul solid, rezistența sa scade treptat, rămânând în cele din urmă în materialul solid, fenomen numit implantare ionică.
Tehnica de implantare ionică:
Este un tip de tehnologie de modificare a suprafeței materialelor care s-a dezvoltat rapid și a fost utilizată pe scară largă în lume în ultimii 30 de ani. Principiul de bază este de a utiliza energia fasciculului de ioni incident de ordinul a 100 keV într-un fascicul de ioni, iar atomii sau moleculele materialelor vor trece printr-o serie de interacțiuni fizice și chimice. Pierderea treptată a energiei ionilor incidenti se oprește în material, provocând modificarea structurii și proprietăților suprafeței materialului. Pentru a optimiza proprietățile suprafeței materialelor sau pentru a obține proprietăți noi, noua tehnologie, datorită avantajelor sale unice, a fost utilizată pe scară largă în modificarea suprafeței materialelor semiconductoare dopate, metalice, ceramice și polimerice, aducând beneficii economice și sociale semnificative.
Implantarea ionică, ca tehnologie importantă de dopare în tehnologia microelectronică, joacă un rol cheie în optimizarea proprietăților de suprafață ale materialelor. Tehnologia de implantare ionică oferă performanțe foarte ridicate la temperaturi și rezistență la coroziune chimică a materialului. Prin urmare, părțile principale ale camerei de ionizare sunt fabricate din materiale de tungsten, molibden sau grafit. De-a lungul anilor de cercetare industrială și producție prin implantarea ionică a materialului de tungsten-molibden, procesul de producție are o experiență stabilă și bogată.
Produse populare pentru implantarea ionilor
